特許

J-GLOBAL ID：200903026439826651

エッチング処理装置及びエッチング処理方法、並びに半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 伊勢 博利 ,  生島 貴之 ,  花崎 稔 ,  西崎 展弘
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  三菱電機エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-070970
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031128
出願日： 1999年03月16日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 フォトレジストに対して高選択比エッチングをすることができ、かつ反応性生成物の堆積による異物の影響がなく、被エッチング膜中の疎密パターン間に生じるエッチング速度差が無いエッチングを実現する。【解決手段】 処理容器の内部に1対の電極を対向して配置し、この処理容器に主エッチング処理ガスとしてCl2、BCl3を導入し、これにCHF3ガス又はCF4ガスなどC、H、F系を含んだデポ系ガスを添加し、被エッチング試料を保持した1対の電極にパルス波形変調した高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、被エッチング試料をエッチングする。

請求項（抜粋）：

処理容器と、この処理用容器の内部に対向して配置され被エッチング試料を保持する1対の電極と、上記処理容器にCl2ガスとBCl3ガスとを含む主エッチング処理ガスにC、H、F系を含んだデポ系ガスを添加したエッチング処理ガスを導入する導入手段と、上記処理容器からエッチング処理ガスを排気する排気手段と、上記1対の電極にパルス波形変調した高周波電圧を印加し上記1対の電極間にプラズマを発生させる電圧印加手段とを備え、上記プラズマにより上記被エッチング試料をエッチングするようにしたことを特徴とするエッチング処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 M