特許
J-GLOBAL ID：200903026443196271
半導体素子及び樹脂封止型半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-169637
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007105
出願日： 1993年06月16日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子1を配線基板15にフェイスボンディングしたとき半導体素子1側の回路素子、配線膜と、配線基板15側の回路素子、配線膜との間に生じる寄生容量を小さくし、且つ放熱性を高くする。【構成】 電子回路が形成された主面上に複数の突起電極2、2、...と共に、外側からの封止樹脂の侵入を阻む放熱用の突起3を配設する。
請求項（抜粋）：
電子回路が形成された主面上に複数の突起電極と共に、放熱用突起を配設したことを特徴とする半導体素子
IPC (2件)：
H01L 23/28
, H01L 21/60 311
