特許

J-GLOBAL ID：200903026444476650

水素吸蔵用炭素質材料及びその製造方法、水素吸蔵炭素質材料及びその製造方法、水素吸蔵炭素質材料を用いた電池並びに燃料電池

発明者： 根岸 英輔 ,  白石 誠司 ,  梶浦 尚志
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2001002127
公開番号（公開出願番号）：WO2001-068524
出願日： 2001年03月16日
公開日（公表日）： 2001年09月20日
要約：

【要約】本発明は、50気圧以上の水素圧力で水素を吸蔵させるのに先立って、炭素質材料を800°C以下の温度で加熱処理して得られる水素吸蔵用炭素質材料であり、この水素吸蔵用炭素質材料に、50気圧以上の水素圧力で水素を吸蔵させた水素吸蔵炭素質材料である。この水素吸蔵炭素質材料は、電池又は燃料電池に用いられる。50気圧以上の水素圧力で水素を吸蔵させるのに先立って、炭素質材料を800°C以下の温度で加熱処理することにより、水素吸蔵能力が著しく向上した水素吸蔵用炭素質材料が生成される。

請求項（抜粋）：

50気圧以上の水素圧力で、水素を吸蔵させるのに先立って、炭素質材料が、800°C以下の温度で加熱処理されたことを特徴とする水素吸蔵用炭素質材料。

IPC (10件)：

C01B 31/02 101 ,  C01B 31/02 ,  B01J 20/20 ,  B01J 20/30 ,  C01B 3/00 ,  H01M 4/58 ,  H01M 4/96 ,  H01M 8/10 ,  H01M 10/24 ,  H01M 12/08

FI (10件)：

C01B 31/02 101 Z ,  C01B 31/02 101 F ,  B01J 20/20 B ,  B01J 20/30 ,  C01B 3/00 B ,  H01M 4/58 ,  H01M 4/96 B ,  H01M 8/10 ,  H01M 10/24 ,  H01M 12/08 K