絶縁膜製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-196587
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050296
出願日： 1993年08月09日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】Al配線等による基板表面の段差部をSiO2 絶縁膜で巣を生じることなく埋め込むことのできる絶縁膜製造方法を提供する。【構成】ECRプラズマCVD装置を用い、装置を構成している第1真空容器3内へ原料ガスとしてO2 またはN2 O、およびSiH4 またはSi2 H6 を導入するとともに原料ガスへの添加ガスとしてArを同真空容器内へ導入し、かつ第2真空容器7内に配されている基板10に高周波電力を供給しつつSiO2 膜を成長させるAr添加成膜工程を含む。この方法をさらに効果的にするため、高周波電力の周波数を100kHz 〜450kHz の範囲内に設定して基板表面へのバイアス電位形成を防止し、基板表面に形成される素子の絶縁破壊を完全に防止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面にSiO2 絶縁膜を形成する絶縁膜製造方法において、マイクロ波発生用電源にマイクロ波伝達手段を介して結合される円筒状の真空容器と、該真空容器と同軸に配され該真空容器内にマイクロ波との電子サイクロトロン共鳴領域を形成するソレノイドコイルと、真空容器内に配された被成膜基板に高周波電力を供給する高周波電源とを備えたマイクロ波プラズマ装置を用い、該装置の前記真空容器内へ原料ガスとしてO2 またはN2 O、およびSiH4 またはSi2 H6 を導入するとともに原料ガスへの添加ガスとしてArを同真空容器内へ導入し、かつ半導体基板に高周波電力を供給しつつSiO2 絶縁膜を成長させるAr添加成膜工程、を含むことを特徴とする絶縁膜製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 , C23C 16/40 , C23C 16/50 , H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-280539
特開平2-244741
特開平3-024268

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