特許
J-GLOBAL ID：200903026450689887
シリコン基板の熱処理方法および熱処理された基板、その基板を用いたエピタキシャルウェーハ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-073821
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269221
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 所望のIG能力を付加したシリコン基板を、高歩留り、高生産性で得るための熱処理方法およびその方法で熱処理を施した基板を用いたエピタキシャルウェーハを提供する。【解決手段】 CZ法により製造された単結晶から得たシリコン基板を熱処理する方法において、水素100%またはアルゴン100%あるいは水素とアルゴンの混合雰囲気下で、シリコン基板を1050°C以上の温度で保持した後、8°C/秒以上の冷却速度で急速冷却する第1段階熱処理後に、350°C以上800°C以下の温度で第2段階熱処理を加えて、基板中の酸素析出核の量を制御する。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法により製造された単結晶から得たシリコン基板を熱処理する方法において、水素100%またはアルゴン100%あるいは水素とアルゴンの混合雰囲気下で、シリコン基板を1050°C以上の温度で保持した後、8°C/秒以上の冷却速度で急速冷却する第1段階熱処理後に、350°C以上800°C以下の温度で第2段階熱処理を加えることを特徴とするシリコン基板の熱処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/322 Y
, H01L 21/26 G
