特許

J-GLOBAL ID：200903026450857895

半導体集積回路の形成方法

発明者： クオーフア リー ,  チェンーフア ダグラス ユー
出願人/特許権者： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-312812
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216154
出願日： 1993年11月19日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積回路内に存在するナトリウムイオンを処理する方法を提供することである。【構成】 本発明の半導体集積回路の形成方法は、(A)基板11の上にナトリウムを導入する傾向のあるプロセスを実行するステップ(図1)と、(B)前記基板11の上にナトリウムを誘引する第2誘電体層25を形成するステップ(図2)と、(C)前記ステップにより形成された第2誘電体層25を実質的に除去するステップ(図3)と、(D)前記基板上に集積回路を形成し、完了するステップと、からなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

(A) 基板(11)の上にナトリウムを導入する傾向のあるプロセスを実行するステップ(図1)と、(B) 前記基板(11)の上にナトリウムを誘引する第2誘電体層(25)を形成するステップ(図2)と、(C) 前記ステップにより形成された第2誘電体層(25)を実質的に除去するステップ(図3)と、(D) 前記基板上に集積回路を形成し、完了するステップと、からなることを特徴とする半導体集積回路の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-255636
  
• 特開昭57-079617
  
• 特開平4-316321
  
• 特開昭56-161657
  
• 特開平4-316370