GaN系結晶成長用基板およびその用途

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高島一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-083729
公開番号（公開出願番号）：特開2001-261498
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
要約：

【要約】【課題】選択成長法のマスク層材料にタングステンを含みながらも、GaN系半導体素子の特性を改善し得るGaN系結晶成長用基板を提供することであり、それを用いて形成したGaN系半導体素子を提供すること。【解決手段】 GaN系結晶が成長可能な結晶基板1の該基板面に、マスク領域dと非マスク領域eとが形成されるパターンにてマスク層2を形成し、ELO技術に対応し得るGaN系結晶成長用基板とする。ここで、該マスク層の材料をタングステン窒化物(特に窒素の組成比率は0〜50atm%が好ましい)として、マスク層直下のエッチングを抑制する。当該成長用基板を用いることによって、素子の特性劣化が抑制される。

請求項（抜粋）：

GaN系結晶が成長可能な結晶基板の該基板面に、マスク領域と非マスク領域とが形成されるパターンにてマスク層が設けられ、該マスク層がタングステン窒化物からなるものであることを特徴とするGaN系結晶成長用基板。

IPC (4件)：

C30B 29/38 , H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (4件)：

C30B 29/38 D , H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/323

Fターム (38件)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077DA01 , 4G077DA11 , 4G077FG02 , 5F041AA40 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA67 , 5F045AA04 , 5F045AA18 , 5F045AA19 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB31 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045DA53 , 5F045DC55 , 5F045EB15 , 5F045HA12 , 5F073AA51 , 5F073CA02 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA07 , 5F073DA35

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