特許
J-GLOBAL ID：200903026459090597
半導体装置及びそれを使った電力変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-224747
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088346
出願日： 1994年09月20日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】阻止電圧が安定し、漏れ電流の小さい高信頼の高電圧半導体装置を提供する。【構成】主pn- 接合を形成するp層をリング状に取り囲む多重のp層と、それらをさらに取り囲むリング状のn+ 層と、各p層とn+ 層に低抵抗接触し絶縁膜を介してn- 層の表面に達し周辺方向に延びる順フィールドプレートと内側方向に延びる逆フィールドプレートの面積がn- 表面の半分以上を占めるフィールドプレートとを有する。【効果】本発明によれば、厳しい環境で使われる高電圧の半導体装置の阻止電圧の安定化に有効で、高電圧の制御装置の信頼性向上に非常に効果的である。
請求項（抜粋）：
一対の主表面と、一方の主表面側に接する表面を持つ第1導電型の第1の半導体領域と、一方の主表面より第1の半導体領域内に延びる第2導電型の第2の半導体領域と、第2の半導体領域を囲むように形成され、一方の主表面より第1の半導体領域内に延びる第2導電型の第3の半導体領域と、他方の主表面に形成された第1の主電極と、第2の半導体領域に低抵抗接触し、絶縁膜を介して第1の半導体領域の表面を覆う第2の主電極と、第3の半導体領域に低抵抗接触し、第2の半導体領域の側及びその反対側において絶縁膜を介して第1の半導体領域の表面上を覆う補助電極と、一方の主表面と接する第1の半導体領域の表面において、補助電極によって覆われる領域の面積が、一方の主表面と接する第1の半導体領域の表面の面積の1/2以上であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/41
, H01L 29/74
, H01L 29/78
H01L 29/44 E
, H01L 29/74 N
, H01L 29/78 652 P
