特許
J-GLOBAL ID：200903026475202710
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-001196
公開番号（公開出願番号）：特開平8-188876
出願日： 1995年01月09日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：
【要約】【目的】 ウェーハ内の膜厚分布が均一になるように成膜する。【構成】 1)処理室内に,サセプタ上に載置されるウェーハに対向して設けられ且つ板に多数の孔が開けられたガス供給器と,該ガス供給器を保持する部材と,該部材と該ガス供給器との間にこの両者より熱伝導率の低い材料からなるアイソレーションリングとを有する半導体製造装置,2)前記1記載の半導体製造装置を用い,前記サセプタを加熱し,前記ガス供給器より原料ガスを導入して成膜する半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
処理室内に,サセプタ上に載置されるウェーハに対向して設けられ且つ板に多数の孔が開けられたガス供給器と,該ガス供給器を保持する部材と,該部材と該ガス供給器との間にこの両者より熱伝導率の低い材料からなるアイソレーションリングとを有することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
C23C 16/44
, C23C 16/24
, H01L 21/205
