特許

J-GLOBAL ID：200903026475997543

直接接合シリコン基板の作製方法

発明者： 滝澤 律夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-347892
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189405
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 直接接合シリコン基板の作製において、素子形成用シリコンウェハのシリコン層厚を容易に1μm以下に薄膜化する。【解決手段】 素子形成用シリコンウェハ11として比抵抗が0.1〜1Ωcmのものを、支持基板用シリコンウェハ21として表面に酸化膜22を形成したものをそれぞれ使用した。プラズマ水素中でウェハ11に180°C・数十分間の処理を施し、厚さ1μm未満の水素拡散領域12を形成し、該領域の比抵抗を1kΩcmより大きくした。ウェハ11の水素拡散面と、ウェハ21の酸化膜22とを直接接着させて接着基板31とした。この接着基板について、ウェハ11の裏面側から平面研削法により、厚み約5μmのシリコン層が残るまで薄膜化した後、フッ酸・硝酸混合液により残りの層を更に薄膜化した。薄膜化後の接着基板41についてSC洗浄を行った後、N2 ガス雰囲気中で350°Cの熱処理を行い、目的の接着基板51を得た。

請求項（抜粋）：

素子形成用シリコンウェハと支持基板用シリコンウェハとを、それぞれの鏡面仕上げ面同士を直接接触させて接着ウェハを得た後、該接着ウェハの素子形成用シリコンウェハを薄膜化することにより接合シリコン基板を作製する方法において、予め素子形成用シリコンウェハの、支持基板用シリコンウェハと接着させるべき面に、これを200°C以下の温度に維持しながらプラズマ水素処理を施した後、前記薄膜化処理工程においては、素子形成用シリコンウェハに少なくともウエットエッチングを施すものであって、該ウエットエッチングではエッチング液として、比抵抗が高いほどシリコンウェハのエッチング速度が遅くなる薬液を使用することを特徴とする直接接合シリコン基板の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/308 ,  H01L 27/12

FI (5件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/308 B ,  H01L 27/12 B ,  H01L 21/265 F