特許
J-GLOBAL ID：200903026480252718
シリコン窒化膜のドライエッチング方法及びドライエッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-068942
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235525
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】【目的】シリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対して高選択比で選択エッチングすること。【構成】被処理基体12を収容した容器11内に、弗素元素を含むガスを容器11とは別の領域18で励起してガス導入口14から導入するとともに、弗素元素以外のハロゲン元素を含むガスをガス導入口20から容器11内に直接導入して、被処理基体12に形成されたシリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対して選択的にエッチングすることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
被処理基体を収容した容器内に、弗素元素を含むガスを前記容器とは別の領域で励起して導入するとともに、弗素元素以外のハロゲン元素を含むガスを前記容器内に直接導入して、前記被処理基体に形成されたシリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対して選択的にエッチングすることを特徴とするシリコン窒化膜のドライエッチング方法。
FI (2件)：
H01L 21/302 F
, H01L 21/302 B
