特許
J-GLOBAL ID：200903026481424504
半導体発光装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-087215
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302914
出願日： 1993年04月14日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 高抵抗層埋め込み構造半導体レーザの作製を容易にすると共に長期安定動作を可能にする。【構成】 基板11上にメサストライプ14(活性層1,クラッド層2,バッファ層3で形成されている)を形成し、メサストライプ14の両側面に電流阻止層7が配置されている。基板11と電流阻止層7の間に半導体多層膜29(バッファ層4,5,6で形成されている)を形成し、活性層1と半導体多層膜29の間に、オーバークラッド層9が備えられ、オーバークラッド層9の幅は活性層1の幅より広い。
請求項（抜粋）：
第1の導電型を有する半導体基板と、前記半導体基板上に配置され、第1の導電型を有するバッファ層,活性層および第2の導電型を有するクラッド層を少なくとも含み、ストライプ状に形成された活性領域のメサストライプと、半絶縁性高抵抗層を少なくとも有し、前記メサストライプの両側面に配置される電流阻止層を備えた半導体発光装置において、前記電流阻止層内の半絶縁性高抵抗層と前記半導体基板の間に、前記クラッド層と異なる半導体結晶からなる半導体層を少なくとも2つ含む半導体多層膜を備え、前記半導体多層膜と前記活性層の間が、第2の導電型を有するオーバークラッド層により隔てられており、このオーバークラッド層の幅が活性層の幅よりも広いことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
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