特許
J-GLOBAL ID:200903026484883151
半導体装置及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-161151
公開番号(公開出願番号):特開平8-031934
出願日: 1994年07月13日
公開日(公表日): 1996年02月02日
要約:
【要約】【目的】 トランジスタの電気的特性に悪影響を与えない配線構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 第1と第2駆動トランジスタの夫々のゲート電極であるポリシリコン層3a,3bと、その隣接間の基板に形成されたソース拡散層11sと、第1と第2駆動トランジスタの夫々のドレイン拡散層11dと、第1と第2駆動トランジスタのゲート電極とドレイン電極との第1交差接続部と、第1と第2駆動トランジスタのドレイン電極とゲート電極との第2交差接続部とを具備し、第1と第2交差接続部が絶縁性のポリシリコン層17a,17bがドレイン拡散層11d及びゲート電極3a,3bと接する部分に不純物をイオン注入して導電性を付与して導電領域14a,14b,16a,16bを形成した配線構造を有する半導体装置である。
請求項(抜粋):
半導体装置に於いて、第1導電領域と、前記第1導電領域を覆う層間絶縁層と、選択的に前記第1導電領域を露出させる前記層間絶縁層に設けた開口部と、前記層間絶縁層を覆い、且つ、前記第1導電領域が露出する前記開口部内に延在するポリシリコン層と、前記開口部内に延在する前記ポリシリコン層に選択的に不純物をイオン注入して導電性を付与した第2導電領域と、前記第2導電領域と電気的に接続して前記ポリシリコン層上に延在する金属又は金属シリサイド化した第3導電領域と、を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (8件):
H01L 21/768
, H01L 21/28
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 21/8244
, H01L 27/11
, H01L 29/78
, H01L 21/336
FI (4件):
H01L 21/90 D
, H01L 27/08 321 F
, H01L 27/10 381
, H01L 29/78 301 P
前のページに戻る