特許
J-GLOBAL ID：200903026487197127
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-238103
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094481
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 工程のわずかな変更で2層目配線のステップ断線を確実に防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1側から保護膜3、ポリイミド膜4を層状に重ねて成る中間絶縁膜上に開口パターン6を有するフォトレジストマスク5を設けてエッチングによりポリイミド膜4に開口7を形成し、フォトレジストマスク5及びポリイミド膜4をマスクとしてエッチングにより保護膜3に開口8を形成し、フォトレジストマスク5を利用して再びポリイミド膜4を選択的にエッチングして、保護膜3の開口8に対してポリイミド膜4の開口7を大きくし、これら開口をまとめて形成される開口を上方へ向かって開いた形状にし、フォトレジストマスク5を除去した後に、半導体基板1上に設けられたオーミック電極2に接続したメッキ用配線9をポリイミド膜4上に設けるこよにより、開口の途中におけるメッキ用配線9のステップ断線を確実に防止する。
請求項（抜粋）：
電極が設けられた半導体基板上に、半導体基板側から保護膜、ポリイミド膜を層状に重ねて成る中間絶縁膜を設け、この中間絶縁膜に開口を形成して配線を接続する半導体装置の製造方法において、前記中間絶縁膜上に開口パターンを有するフォトレジストマスクを設けてエッチングによりポリイミド膜に開口を形成する工程と、前記フォトレジストマスク及びポリイミド膜をマスクとしてエッチングにより保護膜に開口を形成する工程と、前記フォトレジストマスクを利用して再びポリイミド膜を選択的にエッチングし、保護膜の開口縁部に対してポリイミド膜の開口縁部を側方へ後退させる工程と、前記フォトレジストマスクを除去した後に中間絶縁膜上に前記電極に接続した配線を設ける工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/3213
, H01L 21/768
H01L 21/302 M
, H01L 21/88 C
, H01L 21/90 B
