ルチル単結晶の育成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-371457
公開番号（公開出願番号）：特開2001-181091
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：

【要約】【課題】ルチル単結晶の育成方法の一つであるEFG法において、種結晶の大きさを変えることによって、結晶欠陥の無いルチル単結晶を育成する。【解決手段】制御された炉内で、坩堝1内の原料溶融液2内にスリットダイ3を設け、そのスリット4を利用して溶融液2をスリットダイ3の上面まで上昇させ、スリットダイ3どおりの形状に単結晶8を引き上げる結晶成長法(EFG)において、スリットダイ3の幅と種結晶5の幅を一致させて引き上げ育成することで、結晶欠陥の無い単結晶8を製造する。

請求項（抜粋）：

制御された炉内で、坩堝内の原料溶融液内にスリットを有するダイを設け、そのスリットを利用して溶融液をダイの上面まで上昇させ、ダイどおりの形状に単結晶を引き上げる結晶成長法(EFG)において、ダイの幅と種結晶の幅を一致させたことを特徴とするルチル単結晶の育成方法。

IPC (3件)：

C30B 29/16 , C30B 15/34 , G02B 5/30

FI (3件)：

C30B 29/16 , C30B 15/34 , G02B 5/30

Fターム (8件)：

2H049BA02 , 2H049BB42 , 4G077AA03 , 4G077BB04 , 4G077CF02 , 4G077CF03 , 4G077PK03 , 4G077PK04

前のページに戻る