特許

J-GLOBAL ID：200903026491691454

マイクロ波半導体装置およびその製造方法

発明者： 山本 佳弘
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-284677
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140528
出願日： 1992年10月22日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 信頼性の高いマイクロ波半導体装置を提供する。【構成】 マイクロ波集積回路10において、半絶縁性半導体基板20の一側面に、各切欠部30,31,32内に埋め込んだ状態で、各第2の取出電極33,34,35を設け、第2の取出電極33,34,35を、各整合回路22,25,28に接続している第1の取出電極23,26,29に接続する。マイクロ波集積回路10の基板20の側面を下に向けた状態で、各第2の取出電極33,34,35を、各リード11a,11b,11c 上にダイボンドする。【効果】 半絶縁性半導体基板の側面に各整合回路がなく、マイクロ波集積回路と各リードとの間で、回路配線による容量が生じたり、電波伝搬が起こることもなく、インダタンスによる高周波特性の劣化が起こらない。

請求項（抜粋）：

リードフレームに搭載された、半絶縁性半導体基板に作り込まれたマイクロ波集積回路を含むマイクロ波半導体装置であって、半絶縁性半導体基板の一方表面において、回路設計に基づき、所定の高周波特性を得るように引き回された複数の配線パターンにそれぞれ接続する複数の第1の取出電極と、半絶縁性半導体基板の一側面において、互いに所定間隔をあけ、各第1の取出電極を含む領域が切り欠かれた複数の切欠部と、各切欠部内に、各第1の取出電極に接続するように埋め込まれた複数の第2の取出電極とを含み、上記各第2の取出電極が、直接リードフレームに搭載されていることを特徴するマイクロ波半導体装置。