特許

J-GLOBAL ID：200903026497395563

薄膜形成装置

発明者： 渡辺 均
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社 ,  シメトリックス・コーポレーション
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-066356
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283433
出願日： 1993年03月25日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 緻密で欠陥の少ない高品質の薄膜を容易に形成し得る薄膜形成装置を提供しようとするものである。【構成】 基体12上に堆積膜を形成するための成膜手段8と、前記基体12上の堆積膜を1°C/秒〜200°C/秒の昇温速度で急速加熱するための急速加熱手段10とを具備したことことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

基体上に堆積膜を形成するための成膜手段と、前記基体上の堆積膜を1°C/秒〜200°C/秒の昇温速度で急速加熱するための急速加熱手段とを具備したことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 27/108 ,  H01L 41/24

FI (2件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 41/22 Z

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭57-172742
  
• 特開平4-247623
  
• 特開昭57-010240
  

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-172742
  
• 特開平4-247623
  
• 特開昭57-010240