特許
J-GLOBAL ID：200903026498292202
半導体基板の処理方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-287954
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129263
出願日： 1991年11月01日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 シリコンウエファの表面を清浄するに当たり、自然酸化膜をシリコンウエファを高温で加熱することなく除去するとともに均一なエッチングを行って表面の平坦性を確保できる半導体基板の処理方法を提供しようとするものである。【構成】 シリコンウエファをフッ化塩素系ガスと水素ガスまたは塩化水素ガスとの混合ガス雰囲気中に入れ、シリコンウエファを100 〜600 °Cの範囲の温度に加熱し、熱化学によって生成されるフッ化水素でシリコンウエファ表面に形成されている自然酸化膜を除去し、次に雰囲気をフッ化塩素系ガスのみとして自然酸化膜が除去されたシリコンウエファを均一にエッチングする。
請求項（抜粋）：
表面を清浄処理すべき半導体基板を、フッ化塩素系ガスと、水素ガスまたは塩化水素ガスとを含む混合ガス雰囲気中に入れ、半導体基板を100 〜600 °Cの温度に加熱し、半導体基板表面において熱化学反応によりフッ化水素を生成し、これにより半導体基板の表面に形成されている自然酸化膜を除去し、次に雰囲気をフッ化塩素系ガスのみとして半導体基板の表面をエッチングすることを特徴とする半導体基板の処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/302
