特許
J-GLOBAL ID：200903026499241172
静電容量センサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-132479
公開番号（公開出願番号）：特開2002-328110
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：
【要約】【課題】 高温高湿環境下においてもドリフト劣化が抑制されている静電容量センサ、とりわけ湿度検出センサを提供する。【解決手段】 一対の電極2A,2Cの間に高分子膜2Bが介在するセンサ本体2が、上下方向に貫通する少なくとも1個の貫通孔1Aを有する基板1の片面に配置されている静電容量センサ。
請求項（抜粋）：
一対の電極の間に高分子膜が介在するセンサ本体が、基板の厚み方向に貫通する少なくとも1個の貫通孔を有する基板の片面に配置されていることを特徴とする静電容量センサ。
Fターム (19件)：
2G060AA01
, 2G060AB02
, 2G060AB19
, 2G060AB21
, 2G060AB22
, 2G060AE19
, 2G060AF03
, 2G060AF06
, 2G060AF10
, 2G060AF11
, 2G060AG08
, 2G060AG11
, 2G060BA09
, 2G060BB10
, 2G060HA02
, 2G060HC10
, 2G060HC19
, 2G060HE03
, 2G060JA01
