特許

J-GLOBAL ID：200903026499731374

高電圧素子及びその製造方法

発明者： 權 五 敬 ,  陳 準 煕
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-048775
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260990
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板の厚さを厚くしないでも高電圧で動作させることができる半導体素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 基板表面にゲート電極74と、エミッタ電極75aと、コレクタ電極76aとを有する素子の表面部を除く周辺を薄膜ダイオード(69a、63、68a)で覆い、ダイオードのカソードをエミッタ電極に、アノードをコレクタ電極に接続した。これらのダイオードで覆った素子を基板の昼間部に設けた埋込絶縁層の上側に形成させた。

請求項（抜粋）：

素子を形成させた半導体基板の上側部分と前記上側部分の下の埋込絶縁膜との間及び形成させた素子の側面に、その素子の表面部分を除いた周囲を覆うように薄形ダイオードを形成したことを特徴とする高電圧素子。

IPC (3件)：

H01L 29/78 657 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 655

FI (3件)：

H01L 29/78 657 A ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 655 F