特許

J-GLOBAL ID：200903026502020751

ダイオード

発明者： 西澤 潤一 ,  由良 昌士
出願人/特許権者： 財団法人半導体研究振興会 ,  東洋電機製造株式会社
代理人 (1件)： 中村 和年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-245201
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069637
出願日： 1995年08月31日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：

【要約】【課題】 良好な逆方向電流電圧特性を有すると共に高速でソフトな逆回復特性のダイオードを提供することである。【解決手段】 本発明によるダイオードは、n型半導体基板11の一方の主表面に設けられアノード領域となるn+層12a〜dと、他の主表面に設けられカソード領域となる表面p+層13a〜dと、各表面p+層13a〜dの直下に位置すると共に接触若しくは重なり合う様にn型半導体基板11の内部に設けられた埋込みp+層14a〜dと、前記一方の主表面上に設けられたアノード電極15と、前記他の主表面上に設けられたカソード電極16とからなる。

請求項（抜粋）：

一対の主表面を有する一導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の一方の主表面から選択的に設けられた反対導電型の複数の第2の半導体層と、前記複数の第2の半導体層の直下にそれぞれ位置するように前記第1の半導体層の内部に設けられた反対導電型の複数の第3の半導体層とを有することを特徴とするダイオード。

IPC (3件)：

H01L 29/861 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/872

FI (3件)：

H01L 29/91 D ,  H01L 21/322 L ,  H01L 29/48 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 整流用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-203969   出願人：新電元工業株式会社
• 埋込み構造もしくは切込み構造を有する静電誘導ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-210751   出願人：玉蟲尚茂, 東洋電機製造株式会社