特許

J-GLOBAL ID：200903026508791792

堆積膜の形成方法、半導体素子基板の製造方法及び光起電力素子の製造方法

発明者： 西元 智紀
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-044345
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253704
出願日： 2003年02月21日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：

【課題】後工程などにおける傷の発生、外観不良、電極不良などを防止し、高品質の半導体素子や光起電力素子を歩留まりよく製造する。【解決手段】ロール・ツー・ロール方式によって帯状基板上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法であって、堆積膜形成過程における変形応力によって生じる前記帯状基板の基板長手方向及び幅方向のカール変形を、外部応力を加えることによって同時に除去する工程を有することを特徴とする堆積膜形成方法を提供する。【選択図】 図11

請求項（抜粋）：

ロール・ツー・ロール方式によって帯状基板上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法であって、変形応力の印加によって生じる前記帯状基板の長手方向および幅方向の変形を、該帯状基板の非堆積膜面及び堆積膜面に外部応力を印加することによって同時に除去する工程を有することを特徴とする堆積膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L31/04 ,  H01L21/205

FI (2件)：

H01L31/04 T ,  H01L21/205

Fターム (35件)：

4K029AA02 ,  4K029AA25 ,  4K029BA04 ,  4K029BA45 ,  4K029BA49 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029GA00 ,  4K030BA30 ,  4K030BB12 ,  4K030CA02 ,  4K030CA17 ,  4K030DA08 ,  4K030FA03 ,  4K030HA02 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045BB11 ,  5F045CA13 ,  5F045DP22 ,  5F045DQ12 ,  5F045EM01 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA15 ,  5F051CA22 ,  5F051CB15 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17 ,  5F051FA04 ,  5F051GA02 ,  5F051GA06