特許
J-GLOBAL ID：200903026511105980
透明導電性積層体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-098137
公開番号（公開出願番号）：特開平6-306589
出願日： 1993年04月23日
公開日（公表日）： 1994年11月01日
要約：
【要約】【目的】 低抵抗で透光性の良好な、エッチング性にも優れた透明導電性積層体を、クラックとカールの発生を抑えて製造する。【構成】 透明な高分子フィルム基材上にインジウム酸化物(In2 O3 )を主成分とする透明導電層を圧力勾配型放電によるイオンプレーティングによって連続的に積層する際に、成膜直前にフィルム基材両面の温度を、そして成膜直後に成膜面および基材面の温度を、各々80°C以下に調節し、表面抵抗が30Ω/cm2 以下の低抵抗で光線透過率70%(波長550nm )以上の高透光性を有する透明導電性積層体を製造する。
請求項（抜粋）：
透明な高分子フィルム基材上にインジウム酸化物(In2 O3 )を主成分とする透明導電層を圧力勾配型放電によるイオンプレーティングによって連続的に積層する方法において、成膜直前にフィルム基材両面の温度を、そして成膜直後に成膜面および基材面の温度を、各々80°C以下に調節し、低抵抗で高透光性を有する透明導電性積層体を製造することを特徴とする透明導電性積層体の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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