特許
J-GLOBAL ID：200903026518768586
高抵抗薄膜抵抗体、その作製方法および抵抗素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山田 文雄
, 山田 洋資
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-166057
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347562
出願日： 2004年06月03日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
【課題】 高い抵抗値を持つ抵抗素子、もしくは抵抗線路が短く高周波伝送系に適した抵抗素子を実現するために、高い抵抗率と微小な抵抗温度係数を併せ持つ高抵抗薄膜抵抗体を提供する。【解決手段】 酸化亜鉛に窒素とインジウムもしくは酸化インジウムを添加した薄膜からなる高抵抗薄膜抵抗体である。この抵抗体は、酸化亜鉛に対し酸化インジウムを5wt%〜15wt%混合させたスパッタリングターゲットを用い、アルゴンガスに対し窒素が30%以上含まれる雰囲気中でスパッタリングを行なうことにより基板に薄膜を堆積させることにより作製できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
酸化亜鉛に窒素とインジウムもしくは酸化インジウムを添加した薄膜からなることを特徴とする高抵抗薄膜抵抗体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
5E032AB10
, 5E032BA15
, 5E032BB01
, 5E033AA03
, 5E033BA03
, 5E033BD01
, 5E033BE01
, 5E033BF05
出願人引用 (1件)
-
回転速度差感応型継手
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-205857
出願人：株式会社ゼクセル
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