特許
J-GLOBAL ID：200903026518934451
化合物半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-071118
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275464
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 電界効果トランジスタを有する化合物半導体集積回路装置を高性能化する。【構成】 電界効果トランジスタのソース8およびドレイン9を選択エピタキシャル成長により形成する際、あらかじめゲート5の一方の側壁近傍の半絶縁性基板2に凹溝7を形成し、ドレイン9の一部をこの凹溝7内に形成する化合物半導体集積回路装置の製造方法である。
請求項（抜粋）：
電界効果トランジスタのソースおよびドレインを選択エピタキシャル成長により形成する化合物半導体集積回路装置の製造方法であって、ゲートの一方の側壁近傍の半絶縁性基板を開孔して凹溝を形成した後、ドレインの少なくとも一部を前記凹溝内に形成することを特徴とする化合物半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 29/80 F
, H01L 29/80 B
