特許

J-GLOBAL ID：200903026519407005

半導体記憶装置

発明者： 石井 義政
出願人/特許権者： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-089285
公開番号（公開出願番号）：特開2001-273768
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】1つの記憶装置に、記憶情報が消滅しない固定記憶機能と書き換え可能な記憶機能とを合わせ持たせることにより、半導体記憶装置の大きさを小さくでき、製造コストを低く抑えることができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】トランジスタとキャパシタを有するメモリセルを持ち、前記キャパシタに保持された電位により“1”、“0”のデータを記憶する書き換え可能な半導体記憶装置であって、“1”を記憶するためにキャパシタC3に保持された電位が第1の時間経過後に中間電位より低い電位まで低下するメモリセルM3と、“1”を記憶するためにキャパシタC1、C2に保持された電位が前記第1の時間経過後であっても中間電位以上の電位に維持されるメモリセルM1、M2とを有する。

請求項（抜粋）：

トランジスタとキャパシタを有するメモリセルを持ち、前記キャパシタに保持された電位により第1、第2のデータを記憶する書き換え可能な半導体記憶装置において、前記第1のデータを記憶するために前記キャパシタに保持された電位が、第1の時間経過後に所定電位より低い電位まで低下する第1のメモリセルと、前記第1のデータを記憶するために前記キャパシタに保持された電位が、前記第1の時間経過後に前記所定電位以上の電位に維持される第2のメモリセルと、を具備することを特徴とする半導体記憶装置。

Fターム (4件)：

5B024AA07 ,  5B024BA02 ,  5B024BA03 ,  5B024CA05