特許

J-GLOBAL ID：200903026522154827

小型化した質量分析器の製造方法

発明者： コトヴァス,ジョセフ シー ,  ブラッギンス,ティモシー ティー ,  ヤング,ロバート エム ,  フリードホフ,カール ビー
出願人/特許権者： ノースロップ グルマン コーポレーション
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-512587
公開番号（公開出願番号）：特表平10-512997
出願日： 1995年09月21日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】サンプルガスを分析する半導体質量分析器を製造する方法は、複数の空洞が形成された基板、好ましくは半導体基板を備えている。これら各空洞は、質量分析器の異なる構成要素が配置される室を形成する。各空洞の間には、各室の間を相互につなぐ通路を形成する複数のオリフィスが形成される。空洞の内側には、基板と後に空洞内に形成される電極との間のセパレータとなる誘電体層が配置される。空洞の1つにはイオン化装置が配置され、他の空洞にはイオン検出器が配置される。質量分析器のインターフェース及び制御用の電子機器を含む回路基板に成形された基板が取り付けられる。好ましくは、基板は、2つの半体から成形され、室が各半体の対応する構造に形成される。基板半体は、構成要素が内部に配置された後、一体に接着される。

請求項（抜粋）：

サンプルガスを分析する以下のステップを備えた半導体質量分析器を製造する方法、a) 半導体基板に複数の空洞を形成し、各空洞が室を形成するステップ、b) 前記各室の間を相互につなぐ通路を形成して前記複数の空洞の各々の間に複数のオリフィスを形成するステップ、c) 前記複数の空洞の少なくとも1つに、内側に誘電体層(dielectric layer)を設けるステップ、d) 前記複数の空洞の少なくとも1つにイオン化手段を設けるステップ、及びe) 前記複数の空洞の少なくとも1つにイオン検出手段を設けるステップ。