特許
J-GLOBAL ID：200903026524353495
近接場光発生装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森下 武一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-166844
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357339
出願日： 1999年06月14日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 シンプルな構成からなり、煩雑な光軸調整が不要で、かつ、レーザの発振不良等の不具合を生じることのない近接場光発生装置を得る。【解決手段】 半導体レーザ11のへき開面12に熱拡散防止膜13を介して低融点材料からなる薄膜14を成膜する。この薄膜14は半導体レーザ11から放射されるレーザ光で加熱され、被照射部分が結晶から非晶質化して微小な光透過性部分14aに変質し、この光透過性部分14aから近接場光が浸み出る。
請求項（抜粋）：
光発生素子の光出射面に、被照射部分が加熱されて結晶から非晶質化して光透過性を有する薄膜が配置されていることを特徴とする近接場光発生装置。
Fターム (14件)：
5D119AA01
, 5D119AA11
, 5D119AA22
, 5D119AA38
, 5D119BA01
, 5D119CA06
, 5D119DA01
, 5D119DA05
, 5D119FA05
, 5D119FA30
, 5D119FA36
, 5D119JA34
, 5D119JA64
, 5D119KA02
