特許
J-GLOBAL ID：200903026524475442
絶縁ゲート半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-318481
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163910
出願日： 1992年11月27日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 セルフアラインによって微細化が可能な、且つソース電極とソース領域との良好なコンタクトが得られ、アバランシェ(ラッチアップ)耐量の高いパワーMOSFET(IGBT)を提供する。【構成】 ドレイン領域2となる半導体基板1上に、ゲート電極8をマスクとして、チャネル領域3とソース領域5とがセルフアラインにより二重に拡散された縦型絶縁ゲート半導体装置において、前記ゲート電極8の側面に隣接して絶縁サイドウォール12と金属サイドウォール13と、該金属サイドウォールをマスクとして、エッチングによりチャネル領域3を開口した開口部とを備え、該金属サイドウォール13は前記半導体基板上のソース領域5の表面とソース電極となる金属電極11とに接触し、該金属電極11は前記チャネル領域3に接触している。
請求項（抜粋）：
ドレイン領域となる半導体基板上に、ゲート電極をマスクとして、チャネル領域とソース領域とがセルフアラインにより二重に拡散された縦型絶縁ゲート半導体装置において、前記ゲート電極の側面に隣接して絶縁サイドウォールと金属サイドウォールとを備え、更に該金属サイドウォールをマスクとして、エッチングにより前記チャネル領域を開口した開口部とを備え、前記金属サイドウォールは前記半導体基板上のソース領域の表面とソース電極となる金属電極とに接触し、該金属電極は前記チャネル領域に接触していることを特徴とする絶縁ゲート半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 321 S
, H01L 29/78 321 D
