特許

J-GLOBAL ID：200903026531489475

パターン形成方法

発明者： 塘 洋一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-223390
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053115
出願日： 1992年07月30日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 マスクを用いず、上面レジスト加工により位相シフト効果をもたせる技術において、面内制御性良く、確実に位相シフト効果が十分起こるようにしてパターン形成を行うことが可能なパターン形成方法を提供する。【構成】 第1のレジストを塗布する工程Iと、必要に応じて該第1のレジスト上にバッファ層IAを形成する工程と、該バッファ層、もしくは第1のレジスト上に第2のレジストを塗布する工程IIと、該第2のレジストを露光後現像して位相シフト効果をもたらす厚さのパターンを第1のレジスト上に形成する工程IIIと、この第2のレジストパターンを介して第1のレジストを全面照射する工程IVと、第2のレジストパターンを除去し、第1のレジストパターンを現像する工程Vとを少なくとも含むパターン形成方法。

請求項（抜粋）：

基板に第1のレジストを塗布する工程と、前記第1のレジスト上に第2のレジストを塗布する工程と、前記第2のレジストを露光後現像して位相シフト効果をもたらす厚さのパターンを第1のレジスト上に形成する工程と、前記第2のレジストパターンを介して前記第1のレジストを全面照射する工程と、前記第2のレジストパターンを除去し、前記第1のレジストパターンを現像する工程とを少なくとも含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511

FI (3件)：

H01L 21/30 311 L ,  H01L 21/30 301 C ,  H01L 21/30 361 S