特許

J-GLOBAL ID：200903026531894876

薄膜の形成方法

発明者： 尾山 卓司 ,  清水 潤一
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-007134
公開番号（公開出願番号）：特開平7-216543
出願日： 1994年01月26日
公開日（公表日）： 1995年08月15日
要約：

【要約】【構成】ターゲットに印加される電圧が間欠的な直流電圧であり、電圧印加時間が0.1〜1000ミリ秒の範囲にあり、かつ、電圧休止時間が1〜1000ミリ秒の範囲である反応性スパッタによる薄膜の形成方法。【効果】反応性スパッタによる化合物薄膜の成膜速度を、従来の方法に比べて数倍から十倍程度大きくすることができ、かつ、得られた膜の光学的性質も従来の方法で得られたものに比べて同等以上である。

請求項（抜粋）：

ターゲットに負の電圧を印加して放電させ、雰囲気ガス中の反応性ガスと反応させて反応性直流スパッタリングにより基板上に薄膜を形成する方法において、該ターゲットに印加される電圧が間欠的な直流電圧であり、電圧印加時間が0.1〜1000ミリ秒の範囲にあり、かつ、電圧休止時間が1〜1000ミリ秒の範囲にあることを特徴とする薄膜の形成方法。