半導体マッハツェンダ型光変調器

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平戸哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-131109
公開番号（公開出願番号）：特開2003-322831
出願日： 2002年05月07日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：

【要約】【課題】長距離大容量光通信システム等に有用な半導体マッハツェンダ型光変調器に関し、プッシュプル駆動するように構成する場合には、高速かつ低駆動電圧でプッシュプル駆動することができるようにする。【解決手段】半導体基板1上に接地電極5、高導電率層7と、信号電極4と、高導電率層8と、接地電極6とを順に配置し、高導電率層7、8上にそれぞれpin型半導体層からなる光導波路2、3を配置し、光導波路2、3上にそれぞれ分布電極9、10を配置し、高導電率層7、8上にそれぞれ分布電極11、12を配置する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の高導電率層と、信号電極と、第2の高導電率層とを順に配置した部分を有し、前記第1、第2の高導電率層上にそれぞれpin型半導体層からなる第1、第2の光導波路を配置した半導体マッハツェンダ型光変調器であって、前記半導体基板上に前記第1の光導波路を前記信号電極とで挟むように配置した第1の接地電極と、前記第1の光導波路上に配置した第1の分布電極と、前記第1の高導電率層上に配置した第2の分布電極を有し、前記信号電極と前記第2の分布電極を第1の櫛状配線で結線し、前記第1の接地電極と前記第1の分布電極を第2の櫛状配線で結線した第1の構造、および、前記半導体基板上に前記第2の光導波路を前記信号電極とで挟むように配置した第2の接地電極と、前記第2の光導波路上に配置した第3の分布電極と、前記第2の高導電率層上に配置した第4の分布電極を有し、前記信号電極と前記第3の分布電極を第3の櫛状配線で結線し、前記第2の接地電極と前記第4の分布電極を第4の櫛状配線で結線した第2の構造のうち、いずれか一方又は両方の構造を有することを特徴とする半導体マッハツェンダ型光変調器。

Fターム (14件)：

2H079AA02 , 2H079AA12 , 2H079BA01 , 2H079BA03 , 2H079DA16 , 2H079DA22 , 2H079EA04 , 2H079EA05 , 2H079EA07 , 2H079EA08 , 2H079EB04 , 2H079EB14 , 2H079EB15 , 2H079HA15

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