特許

J-GLOBAL ID：200903026534982350

シリコン単結晶の製造方法およびこれに用いられる冷却筒

発明者： 神田 勲 ,  岩崎 俊夫 ,  江阪 久雄 ,  内藤 俊太
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-083360
公開番号（公開出願番号）：特開平6-298589
出願日： 1993年04月09日
公開日（公表日）： 1994年10月25日
要約：

【要約】【目的】 引上げ時の冷却過程における点欠陥の核成長を抑制し、また引上げ操作のフリー化率を高く保ちながら、簡単な装置構成において、高品質のシリコン単結晶を製造する。【構成】 チャンバ内に設置された坩堝中の融液からシリコン単結晶を引上げるシリコン単結晶の製造方法において、成長する前記単結晶を一定間隔をおいて囲繞する円筒部と該円筒部外周面より外方に向かって突出するフィンとを有する冷却筒をチャンバ内の坩堝上方に配し、この冷却筒の外面に不活性ガスを吹送しながら単結晶引上げ操作を行なう。

請求項（抜粋）：

チャンバ内に設置された坩堝中の融液からシリコン単結晶を引上げるシリコン単結晶の製造方法において、成長する前記単結晶を一定間隔をおいて囲繞する円筒部と該円筒部外周面より外方に向かって突出するフィンとを有する冷却筒をチャンバ内の坩堝上方に配し、この冷却筒の外面に不活性ガスを吹送しながら単結晶引上げ操作を行なうことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 15/00 ,  C30B 27/02 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208