特許

J-GLOBAL ID：200903026536646480

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： 宇野沢 浩精
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-211839
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064062
出願日： 1995年08月21日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 電子の移動度が低く、また、チャネル層内の電子の閉じ込め効果が悪く、シート電子濃度が低下してしまう。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板1上にバッファ層2が形成され、バッファ層2上にGa0.52In0.48PからIn組成を徐々に上げられGa0.17In0.83Pまで組成が変化する第1のグレーディッド層であるアンドープグレーディッド層31が形成され、アンドープグレーディッド層31上にGa0.5In0.5Asのチャネル層4が形成され、チャネル層4上にGa0.17In0.83PからIn組成を徐々に下げられGa0.52In0.48Pまで組成が変化する第2のグレーディッド層であるグレーディッド層5が厚形成され、グレーディッド層5上にのキャップ層6が厚形成され、さらに、キャップ層6上にソース電極、ドレイン電極及びゲート電極が形成されることにより構成されている。

請求項（抜粋）：

半絶縁性GaAs基板と、該半絶縁性GaAs基板上に形成されGaAsに格子整合する高抵抗の半導体結晶からなるバッファ層と、該バッファ層上に該バッファ層から離れるに従ってIn組成を徐々に上げて形成された第1のグレーディッド層と、該第1のグレーディッド層上に形成されたチャネル層と、該チャネル層上に該チャネル層から離れるに従ってIn組成を徐々に下げて形成された第2のグレーディッド層と、該第2のグレーディッド層上に形成されたGaAsからなるキャップ層と、該キャップ層上に形成されたソース、ドレイン及びゲートの各電極とを有してなる電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル層におけるIn組成は、0.2以上0.5以下であることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/205

FI (3件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/205