特許
J-GLOBAL ID：200903026539158214
ドライエツチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-180835
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006872
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】 ドライエッチングに関するもので、高エネルギ-イオンによる基板の損傷を抑えると同時に、ガス本来の化学反応による選択性を確保する。【構成】 RF電源の周波数として13.56MHzより高い周波数を用いたドライエッチング装置とする。【効果】 13.56MHzより高い周波数のRF電源を用いることにより、エッチング効率を落とすことなく高エネルギ-イオンの発生を抑えることができる。その結果、基板のダメ-ジが抑えられると同時にチャ-ジアップによるゲ-ト酸化膜の破壊が抑制され、更にpoly-Si,SiN,Al合金のエッチングの際には高エネルギ-イオンによってエッチングされる下地のSiO2膜のエッチングレ-トを下げることができて、十分大きな選択比が得られる。
請求項（抜粋）：
アノ-ドとカソ-ドを具備した金属性チャンバ-内の前記カソ-ド上に半導体基板を載置する工程と、前記カソ-ドにRF電源を印加して前記アノ-ドと前記カソ-ド間にプラズマを発生してバルク及びシ-ス領域を生成し、前記RF電源の周波数として13.56MHzより高い周波数を用いて、前記RF電源のパワ-を下げることなく前記アノ-ドと前記カソ-ド間で発生する前記プラズマの自己バイアスを低下させると同時に、前記半導体基板に入射するイオンエネルギ-の分布幅を狭める工程と、前記カソ-ドに印加する前記RF電源電圧を正弦関数的に変化させるに際し、前記カソ-ドがプラズマ電位以下になったときに、前記バルク領域で発生するイオンが前記半導体基板に低エネルギ-で入射して、効率を落とすことなくエッチングを行う工程を有するドライエッチング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/302
, C23C 14/40
, C23F 4/00
, H05H 1/16
