特許

J-GLOBAL ID：200903026540212141

半導体記憶装置

発明者： 小澤 孝典 ,  下地 規之
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 安村 高明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-210789
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082795
出願日： 1991年08月22日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 2種類以上の絶縁薄膜を交互に積層したトラップ膜の薄厚化を企る。【構成】 トラップ膜を構成する絶縁薄膜の各膜厚を半導体基板に近い位置の薄膜をより薄く構成してその電荷重心を半導体基板側へ偏心させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にトンネル酸化膜を設け、該トンネル酸化膜上にさらに2種類以上の絶縁薄膜を交互に積層してトラップ膜としたトラップ型半導体不揮発性メモリートランジスタにして、前記絶縁薄膜の相互の膜厚を半導体基板に近い位置の薄膜より遠い位置の薄膜を厚くして前記トラップ膜の電荷重心を前記半導体基板側に偏位させるようにしたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 E

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-160669
  
• 特開昭61-127176