半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-152626
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004121
出願日： 1996年06月13日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】半導体素子のフリップチップ実装において、バンプの先端部を揃えるためにバンプを研磨するとバンプの変形や接合部の強度低下が発生していた。また、バンプ間を樹脂で埋めると半導体素子と樹脂との間の狭ギャップにアンダーフィル材を均一に充填することが困難であった。【解決手段】基板上に複数個のバンプを形成する工程と、バンプが埋没するように樹脂膜を塗布する工程と、樹脂膜を半硬化状態にする工程と、樹脂膜の表面を研磨してバンプの各先端部を同一平面上に露出させる工程と、半導体素子を圧着しつつ熱処理して樹脂膜を硬化収縮させ、バンプと半導体素子の電極パッドとを電気的に接続するとともに基板と半導体素子とを接着する工程とにより半導体素子を実装する。これにより、半導体素子の電気的な接続および機械的な接合が良好で、アンダーフィル材の充填が不要な半導体装置が得られる。

請求項（抜粋）：

基板上に下記AからEの工程により半導体素子を実装することを特徴とする半導体装置の製造方法。A:基板上に配設された導体配線または電極パッド上に、半導体素子の電極パッドに対応した、金属導体から成る複数個のバンプを形成する。B:A工程で得られた基板上に、前記複数個のバンプが埋没するように熱硬化性樹脂膜を塗布する。C:B工程で得られた基板を前記熱硬化性樹脂膜が半硬化状態となる温度で熱処理して前記熱硬化性樹脂膜を半硬化状態にする。D:C工程で得られた基板の前記熱硬化性樹脂膜の表面を研磨して、前記複数個のバンプの各先端部を同一平面上に露出させる。E:D工程で得られた基板に前記半導体素子を、前記複数個のバンプの先端部と半導体素子の電極パッドとがそれぞれ接触し、かつ半導体素子の表面と前記熱硬化性樹脂膜とが密着するように圧着させるとともに、前記熱硬化性樹脂膜を熱処理して硬化収縮させ、複数個のバンプと半導体素子の電極パッドとを電気的に接続するとともに前記熱硬化性樹脂膜を介して基板と半導体素子とを接着する。

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