特許
J-GLOBAL ID：200903026548767606
交換結合膜およびその製造方法並びにそれを用いた磁気抵抗効果素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-014247
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214716
出願日： 1997年01月28日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【課題】 高い熱安定性と、高い交換結合磁界を得ることを可能とする。【解決手段】 交換結合膜は、強磁性体層3と、上記強磁性体層3に隣接して形成されたMnPt合金からなる反強磁性体層4とを備え、強磁性体層3の構造がfcc構造で(111)配向しており、強磁性体層3と上記反強磁性体層4との積層膜に対して、交換結合磁界を高めるための熱処理が施されている。強磁性体層3の格子の最密面である(111)面が反強磁性体層4の界面に配列するため、また、熱処理によって反強磁性体層4の反強磁性秩序が向上するので、交換結合磁界が高くなる。
請求項（抜粋）：
強磁性体膜と、該強磁性体膜に隣接して形成された反強磁性体膜とを備え、上記強磁性体膜と上記反強磁性体膜との交換結合により、上記強磁性体膜の磁化の方向が固定されている交換結合膜において、上記反強磁性体膜がMnPt合金からなると共に、上記強磁性体膜がfcc構造で(111)配向しており、かつ、これら反強磁性体膜と強磁性体膜との積層膜には、交換結合磁界を高めるための熱処理が施されていることを特徴とする交換結合膜。
IPC (4件)：
H01F 10/00
, G11B 5/39
, H01F 41/22
, H01L 43/08
H01F 10/00
, G11B 5/39
, H01F 41/22
, H01L 43/08 Z
