特許

J-GLOBAL ID：200903026548775706

半導体基板

発明者： 森川 陽二 ,  二木 登史郎 ,  立川 昭義
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-119454
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312691
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：

【要約】 (修正有)【解決手段】 Si単結晶基板1上にGaAs層4を有する半導体基板において、Siに接して、p型のAlx Ga1-x As層2を設ける。このp型のAlx Ga1-x As層の組成比xを、0.2〜0.45、p型の半導体不純物濃度を1×1015〜1×1017個/cm3 、層の厚みは0.1μm以上3μm以下とする。【効果】 SiにGaAsをエピタキシャル成長させる際に、Siに接してAlx Ga1-x As層を設けることで、Siとの界面に形成される導電層の形成を抑制し、基板上部に形成される各種電極間に生じる寄生容量を減少させることができる。

請求項（抜粋）：

抵抗率が2.0×10-2Ω・cm以上のSi単結晶基板上にGaAs層を有する半導体基板において、前記Si単結晶基板と前記GaAs層との間に、前記Si単結晶基板に接して、p型のAlx Ga1-x As層を設け、このp型のAlx Ga1-x As層の組成比xが0.2〜0.45であることを特徴とする半導体基板。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 A