特許
J-GLOBAL ID：200903026549078383
投影露光装置及び半導体製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-011713
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203808
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 半導体製造用のステッパにおいて、常に最小のショット数でウエハ全面を露光できるようにし、半導体装置の製造を高スループットで行うことを可能にする。【構成】 ウエハ上のチップ配列2と、投影露光フィールド内のチップ配列或いはレチクル101上のパターン内のチップ配列4に関連する情報を利用し、ショット配列19を格子状とする際にショット数が最小となる第1ショット配列と、ショットが重ならないようにウエハ1上のチップ配列2の端から順番にショットを配置していく第2ショット配列を求め、前記第1及び第2ショット配列を比較してショット数が少ない方のショット配列を選択するショット配列決定手段110を有する。
請求項（抜粋）：
原板上のパターンを基板上の複数領域に順に投影露光する投影露光装置において、基板上のチップ配列と、投影露光フィールド内のチップ配列或いは前記原板上のパターン内のチップ配列に関連する情報を利用し、ショット配列を格子状とする際にショット数が最小となる第1ショット配列と、ショットが重ならないように基板上のチップ配列の端から順番にショットを配置していく第2ショット配列を求め、前記第1及び第2ショット配列を比較してショット数が少ない方のショット配列を選択するショット配列決定手段と、前記ショット配列決定手段によって選択されたショット配列に基づいて投影露光動作を行う投影露光手段を有することを特徴とする投影露光装置。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
H01L 21/30 514 C
, H01L 21/30 516 B
