特許

J-GLOBAL ID：200903026549821205

目合わせ方法及び目合わせ位置検査方法

発明者： 隅田 渉
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-282808
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129711
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 パターンシフト及びパターンディストーション現象を考慮して埋込み層本パターンとエピタキシャル層に形成する不純物層本パターンとの位置ずれを起こさない目合わせ方法の提供。【解決手段】 (100)の結晶面方位を有すると共にこの結晶面方位に対しX方向に一定傾角度の切断面を有する半導体基板1に下地用マスク目合わせパターン23で下地目合わせパターン27を形成後、エピタキシャル層28を成長させ、その表面に写しとられた目合わせパターン30にエピタキシャル層表面用マスク目合わせパターン32を目合わせする方法において、上記両目合わせパターンにY方向に頂点の有る山形パターン23d,32dを夫々上下対称に有し、エピタキシャル層表面目合わせパターンの両山形パターン30d,30dの頂点を結ぶ線上にエピタキシャル層表面用マスク目合わせパターンの両山形パターン32d,32dの頂点を位置合わせする。

請求項（抜粋）：

所定の結晶面方位を有すると共にこの結晶面方位に対しX方向に一定傾角度の切断面を有する半導体基板上に下地用マスク目合わせパターン及び下地用マスク本パターンを有する下地用マスクで下地目合わせパターン及び下地本パターンを有する下地パターンを形成する工程と、この下地パターンが形成された半導体基板上にエピタキシャル層を成長させると同時に、前記下地パターンが前記X方向に位置ずれして前記エピタキシャル層表面にエピタキシャル層表面目合わせパターン及びエピタキシャル層表面本パターンを有するエピタキシャル層表面パターンとして写しとられる工程と、エピタキシャル層表面用マスク目合わせパターン及びエピタキシャル層表面用マスク本パターンを有すると共に前記エピタキシャル層表面用マスク目合わせパターン及びエピタキシャル層表面用マスク本パターンの位置関係を前記下地用マスク目合わせパターン及び下地用マスク本パターンの位置関係に対して前記位置ずれ分補正して形成したエピタキシャル層表面用マスクの前記エピタキシャル層表面用マスク目合わせパターンを前記エピタキシャル層表面目合わせパターンに目合わせして前記下地本パターン直上に前記エピタキシャル層表面用マスク本パターンを位置合わせする工程とを具備した半導体装置製造工程における目合わせ方法において、前記下地用マスク目合わせパターン及びエピタキシャル層表面用マスク目合わせパターンが夫々、前記X方向に対し直交するY方向に頂点がある山形パターンを有し、前記エピタキシャル層表面目合わせパターンの山形パターンと前記エピタキシャル層表面用マスク目合わせパターンの山形パターンとで目合わせすることを特徴とする目合わせ方法。

IPC (3件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

H01L 21/68 F ,  H01L 21/66 Y ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/30 502 M ,  H01L 21/30 502 V

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-085825
  
• 特開昭62-298111