特許
J-GLOBAL ID：200903026552506116
導電性透明基材およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 静男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-132030
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235219
出願日： 1994年06月14日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】【目的】 実用上十分な導電性および光透過性を有するとともに、エッチング特性および比抵抗の熱的安定性に優れた透明導電膜であって、低基板温度下でも基板上に設けることが可能な透明導電膜を利用した導電性透明基材、およびその製造方法を提供する。【構成】 本発明の導電透明基材は、透明基材上に、主要カチオン元素としてインジウム(In)および亜鉛(Zn)を含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜であって、Inの原子比In/(In+Zn)が0.8〜0.9の範囲内である透明導電膜が設けられていることを特徴とする。また、本発明の導電透明基材の製造方法は、透明基材上に、主要カチオン元素としてインジウム(In)および亜鉛(Zn)を含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜であって、Inの原子比In/(In+Zn)が0.8〜0.9の範囲内である透明導電膜をスパッタリング法により設けることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
透明基材上に、主要カチオン元素としてインジウム(In)および亜鉛(Zn)を含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜であって、Inの原子比In/(In+Zn)が0.8〜0.9の範囲内である透明導電膜が設けられていることを特徴とする導電性透明基材。
IPC (5件)：
H01B 5/14
, C01G 15/00
, C23C 14/08
, H01B 13/00 503
, G02F 1/1343
