特許

J-GLOBAL ID：200903026573873402

はんだバンプの形成方法

発明者： 柳田 敏治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-113518
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298200
出願日： 1996年05月08日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】 高い信頼性でフリップチップ・ボンディングできるようなはんだバンプを半導体装置に形成する方法を提供する。【解決手段】 Al電極パッド、更に表面保護膜が形成されている半導体基板上のAl電極パッド上に開口部を有するフォトレジストパターンを形成する。次いで、基板全面にバリアメタル層を成膜し、更にレジスト膜及びレジスト膜上のバリアメタル層をリフトオフ除去し、はんだバンプ下地層を形成する。更に、粘着テープを基板表面に貼り付け、次いで剥離することにより、レジスト膜残渣及びはんだバンプ下地層以外の不要なバリアメタル残渣を除去する残渣除去工程を行う。これにより、リフトオフされずに基板面に残留し、デバイス不良を引き起こしていた残渣を粘着テープにより更に除去でき、従って、フリップチップ・ボンディングに際し、高信頼性を有するはんだバンプを形成することができる。

請求項（抜粋）：

一端に電極パッドと接続する接続部、他端にはんだバンプ下地部、及び、接続部とはんだバンプ下地部とを接続する配線部を有する電極延長部をバリアメタルで形成し、次いではんだバンプ下地部上にはんだバンプを形成する際に、電極パッド及び表面保護膜が順次形成された基板上にレジスト膜を成膜し、次いで、ホトリソグラフィ法によりパターニングし、所定パターンの接続孔を開口する開口工程と、次いで、接続孔を開口した基板上にバリアメタル層を成膜し、更にレジスト膜と共にレジスト膜上のバリアメタル層をレジスト剥離洗浄でリフトオフすることにより除去して、接続孔内にバリアメタル層からなる電極延長部を形成する延長部形成工程と、更に、延長部形成工程を経た基板面に粘着テープを貼り付けて基板面上の残渣を粘着テープに被着させ、次いで粘着テープを残渣と共に基板面から剥離して、残渣を基板面から除去する残渣除去工程とを備えることを特徴とするはんだバンプの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/60 311

FI (5件)：

H01L 21/92 604 C ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/92 602 N ,  H01L 21/92 604 N