特許

J-GLOBAL ID：200903026576283851

半導体装置及びその製造方法

発明者： 河津 佳幸
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-103570
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298294
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【目的】 上層の導電膜からの拡散、もしくは上層の導電膜とシリコンとの反応による接合リークを防ぐことができるとともに、拡散層形成領域を精度良く形成することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体装置において、拡散層15との境界付近のフィールド酸化膜51下に、基板表面から見て通常の拡散層よりも深い部分まで存在する予備拡散層13を形成する。

請求項（抜粋）：

拡散層との境界付近のフィールド酸化膜下に基板表面から見て通常の拡散層よりも深い部分まで存在する予備拡散層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 S