特許

J-GLOBAL ID：200903026579144038

フォトレジスト保護膜用組成物、フォトレジスト保護膜およびフォトレジストパターン形成方法

発明者： 音澤 信行 ,  島田 豊通
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-223813
公開番号（公開出願番号）：特開2006-047351
出願日： 2004年07月30日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：

【課題】液浸リソグラフィプロセスに適用できるフォトレジスト保護膜、該保護膜を形成できるフォトレジスト保護膜用組成物、該フォトレジスト保護膜を用いたフォトレジストパターンの形成方法の提供。【解決手段】-COOH、-SO3H、-OP(=O)(OH)2、-NR2および-N+R3Cl-(Rは炭素数1〜4のアルキル基)からなる群から選ばれる1種以上の官能基を有し、重量平均分子量MWが千〜10万である含フッ素重合体および溶媒(水、アルコールまたは含フッ素溶媒)を含有するフォトレジスト保護膜用組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

-COOH、-SO3H、-OP(=O)(OH)2、-NR2および-N+R3Cl-(ただし、Rは炭素数1〜4のアルキル基を示す。)からなる群から選ばれる1種以上の官能基を有し、重量平均分子量MWが1千〜10万である含フッ素重合体および溶媒を含有することを特徴とするフォトレジスト保護膜用組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/11 ,  C09D 127/12 ,  C09D 133/00 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/11 501 ,  C09D127/12 ,  C09D133/00 ,  H01L21/30 575 ,  H01L21/30 515D

Fターム (22件)：

2H025AB16 ,  2H025DA02 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  4J038CD091 ,  4J038CH251 ,  4J038GA06 ,  4J038GA08 ,  4J038GA13 ,  4J038GA14 ,  4J038JA07 ,  4J038JA17 ,  4J038JA25 ,  4J038JA35 ,  4J038KA06 ,  4J038MA09 ,  4J038MA14 ,  4J038NA07 ,  4J038PB08 ,  4J038PC02 ,  5F046AA28 ,  5F046JA22