特許

J-GLOBAL ID：200903026580241640

薄膜太陽電池とその製造方法

発明者： 村松 信一 ,  梶山 博司
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-091033
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297428
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】単結晶シリコン太陽電池に匹敵する高効率、低コストの薄膜太陽電池及びその製造方法を提供すること【構成】上記目的は、少なくとも基板の主面上にシリコンを主成分とする半導体薄膜と電極とを備えてなる薄膜太陽電池において、上記半導体薄膜の少なくとも一つの層が実質的にイントリンシックな非晶質相とn型あるいはp型の結晶相とからなる混合層であり、かつ、上記結晶相が上記基板の主表面と概略垂直な柱状もしくは錐状の相を含むことを特徴とする薄膜太陽電池とすることによって達成することができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも基板の主面上にシリコンを主成分とする半導体薄膜と電極とを備えてなる薄膜太陽電池において、上記半導体薄膜の少なくとも一つの層が実質的にイントリンシックな非晶質相とn型あるいはp型の結晶相とからなる混合層であり、かつ、上記結晶相が上記基板の主表面と概略垂直な柱状もしくは錐状の相を含むことを特徴とする薄膜太陽電池。

FI (2件)：

H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-046377
  
• 特公平4-058193
  
• 特開昭61-084073