特許
J-GLOBAL ID：200903026586745675

雑音パラメーターの抽出方法とその装置

発明者：
森川 博司

森川 博司 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-315631
公開番号（公開出願番号）：特開2001-133509
出願日： 1999年11月05日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】 1/f雑音に関し、そのバイアスベース電流依存性をあらわすパラメータの抽出技術において従来の方法では抽出のための測定データの量が多く長時間を要していたので、このパラメータ抽出時間を短縮することを課題とする。【解決手段】 シリコン・バイポーラトランジスタの1/f雑音のバイアスベース電流依存性を表す雑音パラメーターの抽出方法において、前記バイポーラトランジスタのエミッタ電極を接地し、そのコレクタ電極に第1可変抵抗を介し第1バイアス電圧を印加し、ベース電極に第2可変抵抗を介し第2バイアス電圧を印加し、前記第1可変抵抗の両端に生じる二乗平均雑音電圧を測定する回路について、該雑音電圧の周波数特性が1/fとなる周波数領域における任意の周波数での前記雑音電圧の前記ベース電流に対する依存性により前記雑音パラメーターを抽出することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
シリコン・バイポーラトランジスタの1/f雑音のバイアスベース電流依存性を表す雑音パラメーターの抽出方法において、前記バイポーラトランジスタのエミッタ電極を接地し、そのコレクタ電極に第1可変抵抗を介し第1バイアス電圧を印加し、ベース電極に第2可変抵抗を介し第2バイアス電圧を印加し、前記第1可変抵抗の両端に生じる二乗平均雑音電圧を測定する回路について、該雑音電圧の周波数特性が1/fとなる周波数領域における任意の周波数での前記雑音電圧の前記ベース電流に対する依存性により前記雑音パラメーターを抽出することを特徴とする雑音パラメーターの抽出方法。
IPC (2件)：
G01R 31/26 ,  G01R 29/26
FI (2件)：
G01R 31/26 A ,  G01R 29/26 D
Fターム (6件)：
2G003AA01 ,  2G003AB14 ,  2G003AD07 ,  2G003AE01 ,  2G003AF03 ,  2G003AH04
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 特開昭59-206782
  • 特開昭56-036061

前のページに戻る

TOP

BOTTOM