特許
J-GLOBAL ID：200903026586814928
プラズマ反応器の可変DCバイアス制御
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-327225
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279399
出願日： 1995年12月15日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【課題】 高いDCバイアスにより生じる問題を排除しつつ比較的高いエッチレイトで動作するプラズマ基板処理装置。【解決手段】 チャンバ内のある領域へのプラズマの到達をブロックするプラズマシールドを与えて、接地されたアノード電極の有効面積を減少させて、ウエハ支持カソードに関するDCバイアスを減少させるプラズマチャンバ及びその使用方法。プラズマシールドは、プラズマが前記アパーチャーに浸透することを防止するように充分小さく、且つ、自身の内部をガスが通行せしめるに充分大きい、複数の得まいスリットを有する。チャンバ壁の選択された部分を覆う誘電材料その他のチャンバライナを設置することで、DCバイアスは更に制御可能となる。また、ライナは、プラズマ重合により生じる堆積物を除去するチャンバのクリーニングを容易にする。
請求項（抜粋）：
選択可能な直流(DC)バイアス制御を備えたプラズマ反応器であって、導電性の壁を有する接地された反応器チャンバと、該チャンバ内に配置された、接地された第1の電極と、該反応器チャンバ内で処理されるワークピースを支持するための、該第1の電極とは離れて配置された、接地された第2の電極と、プロセスガスを該反応器チャンバへ供給する、少なくとも1つの流入ポートと、該チャンバからガスを脱気するための、少なくとも1つの流出ポートと、該反応器チャンバ内でプラズマを発生し維持するための、該第2の電極と大地との間に接続された高周波電力ソースと、該反応器チャンバ内に設置されて該反応器チャンバの一部へのプラズマの到達を防止するプラズマシールドとを備え、プラズマが該チャンバ壁の全域に接触することが防止されて、該接地された第1の電極の有効面積が減少し、該減少した有効面積が該第2の電極のDCバイアスを減少させる結果を生じさせるプラズマ反応器。
IPC (3件)：
H05H 1/46
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
H05H 1/46 A
, H05H 1/46 M
, C23F 4/00 A
, H01L 21/302 C
