特許
J-GLOBAL ID:200903026587618049

反転現像方法、画像形成方法、画像形成装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-319302
公開番号(公開出願番号):特開2003-122067
出願日: 2001年10月17日
公開日(公表日): 2003年04月25日
要約:
【要約】【課題】 本発明の目的は、黒ポチの発生が少なく、且つ、高い画像濃度が得られる有機感光体を用いた反転現像方法を提供することであり、該反転現像方法を用いた画像形成方法、画像形成装置を提供することである。【解決手段】 有機感光体が導電性支持体と感光層の間に中間層を有し、該中間層がN型半導性微粒子を含有しており、該有機感光体と現像工程の現像剤を担持する現像スリーブとの距離(Dsd)が前記中間層膜厚(a)と下記(1)式の関係にあり、且つ該未露光電位(VH)と現像スリーブに印加する直流バイアス電位(VDC)との関係が下記(2)式を満足することを特徴とする反転現像方法。 (1)式 300≦Dsd≦850-50a (2)式 50V≦|VH|-|VDC|≦350V
請求項(抜粋):
有機感光体上に静電潜像を形成し、該静電潜像を現像工程でトナー像に顕像化する反転現像方法において、該有機感光体が導電性支持体と感光層の間に中間層を有し、該中間層が少なくともバインダー樹脂及び複数回の表面処理を施し、且つ最後の表面処理が反応性有機ケイ素化合物を用いて行われたN型半導性微粒子を含有しており、該有機感光体と現像工程の現像剤を担持する現像スリーブとの距離(Dsd)が前記中間層膜厚(a)と下記(1)式の関係にあり、且つ該未露光電位(VH)と現像スリーブに印加する直流バイアス電位(VDC)との関係が下記(2)式を満足することを特徴とする反転現像方法。 (1)式 300≦Dsd≦850-50a (2)式 50V≦|VH|-|VDC|≦350V 但し、 500V≦|VH|≦1500V (単位:a及びDsd:μm)
IPC (5件):
G03G 15/00 303 ,  G03G 5/14 101 ,  G03G 15/06 101 ,  G03G 15/08 502 ,  G03G 15/08 506
FI (5件):
G03G 15/00 303 ,  G03G 5/14 101 E ,  G03G 15/06 101 ,  G03G 15/08 502 A ,  G03G 15/08 506 A
Fターム (35件):
2H027DA02 ,  2H027DA45 ,  2H027DE05 ,  2H027DE07 ,  2H027EA01 ,  2H027EA05 ,  2H027EB08 ,  2H027EC03 ,  2H027EC09 ,  2H027EC18 ,  2H027EC19 ,  2H027EF01 ,  2H027EF06 ,  2H068AA21 ,  2H068AA44 ,  2H068BA57 ,  2H068BA58 ,  2H068CA29 ,  2H068FB07 ,  2H073AA02 ,  2H073AA05 ,  2H073BA02 ,  2H073BA13 ,  2H073BA23 ,  2H073BA27 ,  2H073BA36 ,  2H073CA03 ,  2H077AD06 ,  2H077AD35 ,  2H077BA07 ,  2H077DA22 ,  2H077DA47 ,  2H077DB08 ,  2H077EA03 ,  2H077GA17

前のページに戻る