特許

J-GLOBAL ID：200903026592062369

ハイブリッドIC用基板

発明者： 長瀬 敏之 ,  神田 義雄 ,  初鹿 昌文
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-154849
公開番号（公開出願番号）：特開平8-023145
出願日： 1994年07月06日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【目的】 放熱性のみならず、絶縁性及び耐熱性にも優れる。【構成】 ハイブリッドIC用基板10は、第1放熱用セラミック基板11とアルミニウム板21と第2放熱用セラミック基板22とがそれぞれAl-Si系ろう材を介してこの順に積層接着され、第1放熱用セラミック基板11の表面に薄膜回路又は厚膜回路12が形成される。放熱性セラミック基板11,22にはAl2O3、AlN又はSiC等からなるセラミック基板が用いられる。

請求項（抜粋）：

第1放熱用セラミック基板(11,41)とアルミニウム板(21)と第2放熱用セラミック基板(22,51)とがそれぞれAl-Si系ろう材を介してこの順に積層接着され、前記第1放熱用セラミック基板(11,41)の表面に薄膜回路(44)又は厚膜回路(12)が形成されたハイブリッドIC用基板。

IPC (6件)：

H05K 1/03 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/14 ,  H01L 23/36 ,  H05K 1/02 ,  H05K 1/05

FI (5件)：

H01L 23/12 H ,  H01L 23/12 D ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/14 M ,  H01L 23/36 Z